news: Микроэлектроника (сделано в России)

Сообщение №10350 от Alexander 26 апреля 2002 г. 18:23
Тема: news: Микроэлектроника (сделано в России)

Специалистам Института микроэлектроники и информатики Российской Академии наук совместно с инновационной компанией Sceptre Electronic (Великобритания) удалось разработать новую архитектуру транзисторов, которая позволяет значительно увеличить их производительность без применения технологии «растянутого кремния» (strained silicon, «КТ» #401) и дальнейшей миниатюризации. Суть новинки в добавлении примесей с периодически меняющейся концентрацией, благодаря чему значительно повышается подвижность носителей заряда - электронов и дырок.

Для повышения частоты работы кремниевых чипов есть две возможности. Время переключения транзистора можно снизить либо уменьшив его размеры, либо увеличив скорость движения электронов, либо тем и другим способом одновременно. Миниатюризация транзисторов, как известно, дело дорогое и хлопотное. Для увеличения скорости зарядов обычно используется «растянутый» кремний, где расстояния между атомами больше чем в обычном. Для этого его выращивают на подложке из соединения кремния с германием, - чтобы атомы были вынуждены занимать более широкие «посадочные места». Электрон в «растянутом» кремнии движется быстрее благодаря тому, что он меньше взаимодействует с реже расположенными атомами кристаллической решетки полупроводника. Однако выращивать «растянутый» кремний хлопотно и дорого.

Ученые и инженеры предложили другой путь увеличения скорости движения электронов в транзисторе. Вместо того чтобы, как обычно, добавлять в кремний атомы примесей равномерно по длине каждой из областей транзистора, было решено вносить примесь так, чтобы ее концентрация периодически (с периодом 20-100 нанометров) менялась. Для этого была разработана оригинальная модификация ионной камеры, в которой бомбардирующие кремний ионы примеси взаимодействуют друг с другом и сами формируют волнообразную структуру на мишени, будто бы их пропустили сквозь наномаску. По словам авторов, такая замена литографии на молекулярную самоорганизацию ионов позволяет формировать периодические структуры с недоступным для современной литографии шагом всего восемь нанометров.

Оказывается, что в полупроводнике с периодически меняющейся концентрацией примесей электроны способны двигаться значительно быстрее. Новая технология недорога, легко встраивается в обычный процесс полупроводникового производства и, как рассчитывают разработчики, сможет составить конкуренцию «растянутому» кремнию.

- Г.А., Компьютерра

Русские идут


Отклики на это сообщение:

Физика в анимациях - Купить диск - Тесты по физике - Графики on-line

Реклама:
Rambler's Top100